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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
15.1
写入速度,GB/s
8.0
9.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2589
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
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