RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
35
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2155
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link