RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2150
3294
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link