RAM-Vergleich Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Gesamtnote

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

42 51

Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.9 9.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2150 2314

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns