RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
84
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
84
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1574
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link