RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
94
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
94
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1390
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link