RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
37
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2738
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link