RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3587
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link