RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3531
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link