RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
41
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3073
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link