RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
41
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2126
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link