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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
99
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
1499
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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