RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
37
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3024
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link