RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
47
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2227
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link