RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
39
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2264
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link