RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
41
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
2852
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link