RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
41
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2852
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link