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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
41
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2852
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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