RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
1426
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link