RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
56
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2434
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link