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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
56
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
2434
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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