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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
32
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2349
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
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