RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
27
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link