RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link