RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
79
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
79
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1710
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link