RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
79
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
79
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1710
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link