RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2349
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link