RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2349
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link