RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2349
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link