RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
62
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
31
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link