RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link