RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
70
75
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,072.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
70
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
1923
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link