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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Compara
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
70
75
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,072.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
70
Velocidad de lectura, GB/s
2,730.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,072.7
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
1923
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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