RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
41
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
2566
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link