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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
41
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
35
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
2566
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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