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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
12.7
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2566
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
ASint Technology SLZ302G08-MDJHB 2GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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