RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2566
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link