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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
41
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
2591
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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