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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
41
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
37
Velocità di lettura, GB/s
13.3
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
2591
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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