RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2176
2609
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 2133X 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link