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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
41
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
11.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
2609
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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Kingston 9965604-008.C00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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