RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Pontuação geral
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
79
Por volta de -147% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,468.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
79
32
Velocidade de leitura, GB/s
3,061.8
11.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,468.1
7.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
422
2292
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Comparações de RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link