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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparez
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Note globale
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
79
Autour de -147% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,468.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
79
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,061.8
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,468.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
422
2292
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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