RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2237
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link