RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2804
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link