RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3050
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link