RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
17.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3886
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link