RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2841
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link