RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
10.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
3025
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link