RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
28
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2709
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link