RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2831
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link