RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1988
2569
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link